遼寧科技大學李心慰等以硅灰、白炭黑、硅溶膠為硅源,炭黑為碳源,采用碳熱還原法合成碳化硅晶須,通過XRD及SEM對合成產物的物相及形貌進行分析,探討了合成溫度(分別為1400、1450、1500、1550℃)、硅源、n(C)∶n(SiO2)對合成碳化硅晶須的影響。結果表明:n(C)∶n(SiO2)為2.4-3.6,合成溫度為1500℃,保溫3h時,硅溶膠與炭黑反應沒有生成碳化硅晶須,硅灰、白炭黑與炭黑反應均生成碳化硅晶須;以硅灰為硅源合成碳化硅晶須的質量及數量明顯優于以白炭黑為硅源合成碳化硅晶須;合成碳化硅晶須的最佳n(C)∶n(SiO2)為3.3。
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