北京航空制造工程研究所張志金等以中間相瀝青添加55%(質量分數,下同)的Si粉混合物為原料,制備了含Si的炭泡沫模板。在高溫反應燒結爐中,氬氣氣氛下1500℃保溫1~6h,結合反應燒結工藝制備了碳化硅多孔陶瓷。利用掃描電子顯微鏡(SEM)和X射線衍射分析儀(XRD)對碳化硅多孔陶瓷的微觀形貌、物相組成進行了觀察,并對熔融Si與C的反應機理進行了探討。結果表明:碳化硅多孔陶瓷的微觀結構與炭泡沫模板的微觀結構一致,燒結溫度1500℃下,隨著保溫時間的延長,多孔陶瓷的彎曲強度先增大后減小,而孔隙率先減小后增大;在保溫4h的條件下制備的碳化硅多孔陶瓷主要由β-SiC相組成,最大彎曲強度為26.2MPa,對應的孔隙率為45%。內部熔融的Si與外部熔融的Si同時與C反應生成SiC,最后兩者結合在一起形成致密的SiC多孔陶瓷。
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