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一種提高氮化硅層和氧化層刻蝕選擇比的方法 |
來源:中國粉體技術網 更新時間:2013-11-25 20:43:54 瀏覽次數: |
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專利名稱:一種提高氮化硅層和氧化層刻蝕選擇比的方法
專利持有人:上海華力微電子有限公司
所屬行業:
內容摘要:本發明公開了一種提高氮化硅層和氧化層刻蝕選擇比的方法,應用于具有氮化硅層和氧化層的半導體結構的刻蝕工藝,且氮化硅層覆蓋于氧化層的上表面,方法包括:采用包含有添加劑的磷酸化學液對所述氮化硅層進行刻蝕工藝;其中,添加劑的材質為氮化硅和 或類... |
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發明人:李芳,劉文燕,黃耀東
申請人:上海華力微電子有限公司
申請號:CN201310082090.9
本發明公開了一種提高氮化硅層和氧化層刻蝕選擇比的方法,應用于具有氮化硅層和氧化層的半導體結構的刻蝕工藝,且氮化硅層覆蓋于氧化層的上表面,方法包括:采用包含有添加劑的磷酸化學液對所述氮化硅層進行刻蝕工藝;其中,添加劑的材質為氮化硅和/或類氮化硅和/或間接轉化為氮化硅的物質和/或氧化硅和/或類氧化硅和/或間接可以轉化為氧化硅的物質;該方法從化學源頭解決工藝需求,省去進行擋片的工藝步驟,在不減小刻蝕氮化硅速率的同時,有效控制化學液的反應,節約產品制程的時間,進而降低生產成本。
http://www.reklamirai.top/uploadfile/2013/1125/20131125084542368.pdf
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