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一種高嶺土-硅烷嵌合插層改性復合物的制備方法 |
來源:中國粉體技術網 更新時間:2014-03-19 19:55:55 瀏覽次數: |
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專利名稱:一種高嶺土-硅烷嵌合插層改性復合物的制備方法
專利持有人:中國礦業大學(北京)
所屬行業:
內容摘要:本發明涉及一種制備高嶺土-硅烷有機插層復合物的方法。將硅烷嫁接入高嶺土層間,形成高嶺土-層間硅烷嵌合插層體,其特征在于其層間距d(001)在2 0nm到5 9nm之間。本發明方法是將硅烷以化學鍵合作用方式嫁接入層內,且嫁接率高,不同于以往簡單的表面吸附... |
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發明人:劉欽甫,李曉光,程宏飛,郭鵬
申請人:中國礦業大學(北京)
申請號:CN201310280849.4
本發明涉及一種制備高嶺土-硅烷有機插層復合物的方法。將硅烷嫁接入高嶺土層間,形成高嶺土-層間硅烷嵌合插層體,其特征在于其層間距d(001)在2.0nm到5.9nm之間。本發明方法是將硅烷以化學鍵合作用方式嫁接入層內,且嫁接率高,不同于以往簡單的表面吸附的改性過程??梢詫⒐柰榈亩鄠€功能基團與高嶺土的特有功能特性相互結合補償,形成具有更好分散性、吸附性、表面活性的復合物,甚至與有機母質在原位發生結合而使片層剝離,達到納米尺度上的充填。本發明在納米復合材料、橡膠塑料填充材料領域具有較大的應用前景。
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