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一種石墨烯薄膜的制備方法 |
來源:中國粉體技術網 更新時間:2016-02-13 09:47:08 瀏覽次數: |
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專利名稱:一種石墨烯薄膜的制備方法
專利持有人:王聰;方小紅;陳小源;蔡偉
所屬行業:非金屬礦加工
內容摘要:本發明提供一種石墨烯薄膜的制備方法,解決了現有生長方法無法在銅箔上生長多層石墨烯,實現多層石墨烯薄膜的大面積制備的問題。 |
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申請號:CN201510778938.0
申請(專利權)人:中國科學院上海高等研究院;
發明人:王聰;方小紅;陳小源;蔡偉;
本發明提供一種石墨烯薄膜的制備方法。本發明的石墨烯的制備方法針對現有方法進行改進,通過在金屬銅箔表面進行電化學刻蝕,形成多層石墨烯的成核核心,再用化學氣相沉積法就可以在銅箔表面生長出2-3層的石墨烯薄膜。本發明可以發面積生長層數可控的多層石墨烯薄膜,對石墨烯的實用化具有重要意義。
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