5月19日，中科鋼研節能科技有限公司（簡稱中科鋼研）宣布碳化硅產業化項目正式啟動，將布局投資30億人民幣，打造國內最大的碳化硅晶體襯底片生產基地。這標志著我國高品質、大規格碳化硅晶體生長技術的研發取得了突破性進展，使國內相關領域技術達到了國際一流水平，伴隨其產業化進程的推進，我國將有望擺脫碳化硅半導體襯底片依賴進口的尷尬局面，并在產品國產化和成本大幅降低的基礎上，使其產品能在軍工、通信、高鐵、新能源汽車、第三代半導體元器件等方面得到廣泛應用。
碳化硅半導體材料長期受制于人碳化硅作為第三代半導體材料，憑借其在高溫、高壓、高頻等條件下的優異性能表現，成為當今最受關注的新型半導體材料之一。采用碳化硅材料制成的電力電子元件可工作于極端環境和惡劣環境下，特別適用于軍用武器系統、航空航天、石油地質勘探、高速鐵路、新能源汽車、太陽能逆變器及工業驅動等需要大功率電源轉換的應用領域。
目前，國際上先進的碳化硅長晶工藝及裝備掌握在美德日俄等少數西方發達國家手中，全球僅極少數企業能夠商業化量產。目前國內在4英寸碳化硅單晶片品質和成本率上與國際先進水平存在較大差距，已成為中國第三代半導體材料應用發展的瓶頸。4英寸碳化硅晶體獲得成功為了扶持我國碳化硅行業的快速發展，《國家中長期科學和技術發展規劃綱要（2006-2020年）》中明確將碳化硅列為“新一代信息功能材料及器件”優先主題。在《中國制造2025》中明確大尺寸碳化硅單晶襯底為“關鍵戰略材料”“先進半導體材料”。
中科鋼研是由國資委于2016年6月批復成立的央企控股混合所有制企業，在保持央企控股的基礎上引入了戰略投資者，實現了骨干員工持股，為適應“大眾創業、萬眾創新”的經濟發展新模式提供了有效的源泉動力。中科鋼研選擇了高品質、大規格的碳化硅晶體生長技術和襯底片制備技術作為研究專項，引進外籍專家并依托自身科研團隊，與國宏華業投資有限公司及4家企業共同組建了“中科鋼研碳化硅晶體生長技術重點實驗室”，實驗室今年被北京市發改委批復為“第三代半導體制備關鍵共性技術北京市工程實驗室”。在工藝為先的思路下，實驗室根據產品市場前景、技術的先進性與成熟性選擇了升華法和高溫化學氣相沉積法兩種長晶技術作為研發方向，快速掌握了高品質、大規格碳化硅長晶工藝技術及其裝備。
目前中科鋼研與上海大革智能科技有限公司等單位聯合研發的升華法4英寸導電性碳化硅晶體長晶生產過程穩定，裝備自動化程度高，通過核心工藝技術及裝備的研發升級，取得了晶體良品率和節能降耗等關鍵指標的突破性進展，獲得了高品質、大規格的碳化硅晶體。并且，即將突破6英寸“高品質、低成本”導電型碳化硅晶體升華法長晶工藝及裝備、4英寸無摻雜高純半絕緣碳化硅晶體高溫化學氣相沉積法長晶工藝及裝備，并達到產業化應用水平。
另外，中科鋼研將聯合國宏華業投資有限公司等4至5家已取得共識的合作單位通過全國布局投資30億人民幣，打造國內最大的碳化硅晶體襯底片生產基地，為我國航天航空、軍工裝備、高速軌道交通、新能源汽車、新型大功率電源、智能電網等高端新型應用領域的創新發展提供強有力的產品支持。
資料來源：中國經濟網
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