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一種碳化硅基復合材料表面SiC涂層的制備方法 |
來源:中國粉體技術網 更新時間:2017-02-01 09:19:31 瀏覽次數: |
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專利名稱:一種碳化硅基復合材料表面SiC涂層的制備方法
專利持有人:航天材料及工藝研究所;中國運載火箭技術研究院
所屬行業:復合材料
內容摘要:本發明涉及一種復合材料表面SiC涂層的制備方法,屬于氧化防護技術領域。本發明采用反應熔滲法制備涂層,可實現制備涂層的同時進一步提高基材的致密度;通過碳源去除多余熔體,可形成均勻平整的SiC涂層。 |
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申請號:CN201610282651.3
申請(專利權)人:航天材料及工藝研究所;中國運載火箭技術研究院
發明人:龔曉冬;李軍平;張國兵;孫新;常京華;馮志海
本發明涉及一種復合材料表面SiC涂層的制備方法,屬于氧化防護技術領域。將硅粉包埋于碳化硅基復合材料表面,高溫真空熔滲,使復合材料包埋于熔體之中;然后將包覆熔體的復合材料置于過量碳源之中,再次高溫熱處理。清理表面殘渣后即可得到含有SiC涂層的復合材料。本發明采用反應熔滲法制備涂層,可實現制備涂層的同時進一步提高基材的致密度;通過碳源去除多余熔體,可形成均勻平整的SiC涂層。
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