著名的“摩爾定律”提出，集成電路上可容納的元器件的數目，每隔約18至24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。當前，在摩爾定律引領下的集成電路生產正在逼近物理定律的極限，“后摩爾時代”已經來臨。

集成電路縮小至納米尺度后泄漏電流導致的功耗問題，成為當前微電子領域亟待解決的關鍵科學問題。

集成電路產業鏈可以大致分為電路設計、芯片制造、封裝測試三個主要環節，其中半導體產品的加工過程主要包括芯片制造（前道，Front-End）和封裝（后道，Back-End）測試，其中芯片制造生產工藝復雜，工序繁多，生產過程需要使用到多種輔助性石英器件，因而高純度石英材料是半導體IC芯片生產過程中廣泛使用的關鍵性輔助耗材。

在電子封裝領域，封裝環氧塑封料作為封裝主要材料之一，在電子封裝中起著非常關鍵的作用。常見的環氧塑封料的主要組成為填充料60-90%，環氧樹脂18%以下，固化劑9%以下，添加劑3%左右。現用的無機填料基本上都是球形石英粉。

相關專家表示，高端硅基材料是集成電路發展的基石，硅基材料及器件的創新將決定未來集成電路及相關信息技術的發展。

絕緣體上的硅是應用前景廣泛的高端硅基襯底材料，憑借其獨特的結構，可實現器件全介質隔離、抗輻射、高速、低功耗等。

當前，“后摩爾時代”以“感知”為特征，微電子發展更強調將具有不同功能的非數字器件，包括功率器件、射頻器件等互相組合與互補金屬氧化物半導體電路集成。

發展硅基異質集成材料技術應得到格外重視，這一技術將為突破摩爾定律極限新路徑、發展單芯片多樣化功能集成，突破寬帶光信息傳輸、交換與處理集成芯片關鍵技術提供材料支撐。

同時，面對“后摩爾時代”集成電路的功耗瓶頸問題，應當加大基礎研究投入，提前布局新結構新原理器件，面向下一代計算架構的新器件技術，實現材料-器件-電路-系統-算法的協同設計，滿足未來低功耗、智能、安全器件/芯片的需求。